PNY CS1030 - SSD - 500 GB - interno - M....

Descripción del Producto CAPACIDAD: 500 GB COMPONENTES NAND: 3D NAND INTERFAZ: PCIE GENERACIN 3X4 NVME 1.3 FACTOR DE FORMA: M.2 2280 DIMENSIONES DEL PAQUETE LARGO X ANCHO X ALTO: 123X85X4,3MM DIMENSIONES DEL PRODUCTO LARGO X ANCHO X ALTO: 22X80X2MM PESO: 6,6G LECTURA SECUENCIAL MÁXIMA: 500G: HASTA 2200 MB/S ESCRITURA SECUENCIAL MÁXIMA: 500 GB: HASTA 1200 MB/S TBW: 500 GB: 110; GESTIN DE ENERGA DEL ENLACE PCIE: APST, ASPM, L1.2 TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO: 0°C A 70°C TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO: -40°C A 85°C CERTIFICACIONES: BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, ALCANCE, ROHS MTBF: 2 MILLONES DE HORAS CDIGO DE CORRECCIN DE ERRORES: MENOS DE 1 SECTOR POR CADA DIEZ MIL BILLONES DE BITS LEDOS MONITOREO DEL ESTADO DEL PRODUCTO: TECNOLOGA DE AUTOCONTROL, ANÁLISIS E INFORMES SMART PROTECCIN TOTAL DE LA RUTA DE DATOS DE UN EXTREMO A OTRO: SOPORTADO OPTIMIZACIN DEL RENDIMIENTO: TRIM REQUIERE COMPATIBILIDAD CON EL SISTEMA OPERATIVO GARANTA CON FABRICANTE : GARANTA LIMITADA DE 5 AOS CAPACIDAD: 500 GB COMPONENTES NAND: 3D NAND INTERFAZ: PCIE GENERACIN 3X4 NVME 1.3 FACTOR DE FORMA: M.2 2280 DIMENSIONES DEL PAQUETE LARGO X ANCHO X ALTO: 123X85X4,3MM DIMENSIONES DEL PRODUCTO LARGO X ANCHO X ALTO: 22X80X2MM PESO: 6,6G LECTURA SECUENCIAL MÁXIMA: 500G: HASTA 2200 MB/S ESCRITURA SECUENCIAL MÁXIMA: 500 GB: HASTA 1200 MB/S TBW: 500 GB: 110; GESTIN DE ENERGA DEL ENLACE PCIE: APST, ASPM, L1.2 TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO: 0°C A 70°C TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO: -40°C A 85°C CERTIFICACIONES: BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, ALCANCE, ROHS MTBF: 2 MILLONES DE HORAS CDIGO DE CORRECCIN DE ERRORES: MENOS DE 1 SECTOR POR CADA DIEZ MIL BILLONES DE BITS LEDOS MONITOREO DEL ESTADO DEL PRODUCTO: TECNOLOGA DE AUTOCONTROL, ANÁLISIS E INFORMES SMART PROTECCIN TOTAL DE LA RUTA DE DATOS DE UN EXTREMO A OTRO: SOPORTADO OPTIMIZACIN DEL RENDIMIENTO: TRIM REQUIERE COMPATIBILIDAD CON EL SISTEMA OPERATIVO GARANTA CON FABRICANTE : GARANTA LIMITADA DE 5 AOS